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EES:埋入界面處的水分抑制脫質(zhì)子化使高效鈣鈦礦太陽(yáng)能電池具有超過(guò)86%的高填充系數(shù)
NavyLIu NavyLIu 2025-02-28

image.pngSnO2是鈣鈦礦太陽(yáng)能電池(PSCs)的最佳電子傳輸材料之一。然而,鈣鈦礦和SnO2之間有限的界面接觸和在埋入界面發(fā)生的反應(yīng)降低了它們的性能。在此,北京航空航天大學(xué)黃建媚報(bào)道了在氮?dú)鈿夥障骡}鈦礦生長(zhǎng)過(guò)程中,甲脒陽(yáng)離子在埋入界面發(fā)生了強(qiáng)烈的脫質(zhì)子化反應(yīng)。

 

本文要點(diǎn):

1) 相比之下,當(dāng)鈣鈦礦在環(huán)境氣氛下生長(zhǎng)時(shí),這種反應(yīng)受到水分的顯著抑制(Am-鈣鈦礦)。因此,Amb鈣鈦礦埋入界面中的缺陷減少了,大大抑制了非輻射復(fù)合。

2) Amb-PSC的效率為25.69%,超高填充系數(shù)為86.21%,在連續(xù)1個(gè)太陽(yáng)光照下超過(guò)1000小時(shí)后,操作穩(wěn)定性得到增強(qiáng)而不會(huì)衰減。該工作為鈣鈦礦薄膜在環(huán)境氣氛下的退火提供了一種有效策略,以最大限度地減少埋入界面損失。其擴(kuò)展?jié)摿鸵准庸ば允蛊涑蔀榈统杀敬笠?guī)模制造PSC的有效策略。

 

參考文獻(xiàn):

Shengwen Zou et.al Moisture-inhibited deprotonation at the buried interface enables efficient perovskite solar cells with high fill factor over 86% EES 2025

DOI: 10.1039/D4EE04555F

https://doi.org/10.1039/D4EE04555F


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