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自旋軌道扭矩（SOT）磁存儲技術因其能夠實現具有強垂直磁各向異性（PMA）磁體的無場切換而受到廣泛關注。然而，關于SOT磁存儲功耗的擔憂依然存在。近日，湖南大學段曦東、黎博提出了一種通過將化學氣相沉積的二維（2D）Cr₃Te₄/WS₂范德華（vdW）異質結構轉移到2D Fe₃GeTe₂（FGT）磁體上來構建磁性隧道結（MTJ）的方法。

本文要點：

1) 2D磁體的魯棒性和可調性使MTJ表現出非揮發性、多種輸出狀態和優異的循環耐久性。具有薄WS₂（少于六層）的MTJ表現出線性隧穿效應，使用雙層WS₂實現了15.5 kΩ·μm²的低電阻面積乘積（RA）。

2) 此外，不同的2D磁體顯示出高達8kOe的反平行窗口。基于典型MTJ的SOT存儲器表現出0.3 mJ的低寫功耗和9.7 nJ的低讀功耗，標志著2D vdW SOT存儲器的重大進步。

參考文獻：

Kun He et.al Two-Dimensional Cr₃Te₄/WS₂/Fe₃GeTe₂/WTe₂ Magnetic Memory with Field-Free Switching and Low Power Consumption Adv. Mater. 2025

DOI: 10.1002/adma.202419939

https://doi.org/10.1002/adma.202419939